Výhody Schottkyho diódy

SBD má výhody vysokej spínacej frekvencie a nízkeho priepustného napätia, ale jeho spätné prierazné napätie je relatívne nízke, väčšinou nie vyššie ako 60 V a maximum je len asi 100 V, čo obmedzuje jeho rozsah použitia. Napríklad voľnobežná dióda zariadenia na spínanie výkonu v obvode spínaného zdroja (SMPS) a korekcie účinníka (PFC), vysokofrekvenčná usmerňovacia dióda viac ako 100 V pre sekundárny transformátor, 600 V-1,2 kV vysokorýchlostné dióda v obvode vyrovnávacieho obvodu RCD a dióda 600 V na zosilnenie PFC, používa sa iba epitaxná dióda s rýchlou obnovou (FRED) a dióda s ultrarýchlou obnovou (UFRD). Čas spätného zotavenia Trr UFRD je tiež viac ako 20 ns, čo nemôže uspokojiť potreby 1MHz až 3MHz SMPS v oblastiach, ako sú vesmírne stanice. Dokonca aj pre SMPS s tvrdým spínačom 100 kHz, kvôli veľkým stratám vedenia a spínacím stratám UFRD, vysokej teplote plášťa a potrebe veľkého radiátora, sa objem a hmotnosť SMPS zvyšuje, čo nie je v súlade s vývojom trend miniaturizácie a tenkosti. Preto bol vývoj vysokonapäťových SBD nad 100V vždy predmetom výskumu a stredobodom pozornosti. V posledných rokoch SBD urobilo prelomový pokrok, boli zaradené vysokonapäťové SBD 150V a 200V a úspešne sa vyvinuli aj viac ako 1kV SBD vyrobené z nových materiálov, čím vniesli do aplikácie novú vitalitu a vitalitu.